化合物半導體展暨2025中國國際半導體博覽會將于2025年11月在北京亦創國際會展中心以“化合物半導體”作為核心單元，與綜合性半導體博覽會同址同期舉行。本屆展會為期三天，面向產業鏈全環節，聚焦砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、金剛石（Diamond）、氧化鎵（Ga?O?）六大材料體系及其在航空航天、石油勘探、寬帶通訊、汽車制造、智能電網等關鍵場景的應用驗證與商業化路徑。
一、定位與結構
主辦方將展館劃分為“材料-晶圓-器件-模組-系統”五級遞進式展區，真實還原一條化合物半導體從晶體生長到終端集成的完整技術鏈。每個展區設置“性能-環境-壽命”三軸測試島，可現場完成-55 ℃~+300 ℃溫循、10 kV浪涌、101? cm?3中子輻照等極端工況演示。
二、核心展示內容
材料端
砷化鎵：8英寸VB/VGF雙工藝晶圓首次同臺對比，位錯密度<5×103 cm?2。
磷化銦：3英寸至6英寸階梯式晶圓墻，突出InP在太赫茲頻段的優勢窗口。
氮化鎵：8英寸硅基GaN、6英寸SiC基GaN、4英寸QST基GaN三條產線實物并列，觀眾可掃描芯片溯源二維碼查看外延曲線。
碳化硅：N型與P型8英寸晶錠現場切片，展示200 μm超薄翹曲控制技術。
金剛石：2英寸至6英寸多晶、單晶、摻雜晶圓全系列，熱導率≥2000 W·m?1·K?1實測值實時滾動。
氧化鎵：6英寸（010）晶圓及8英寸工程樣片，擊穿場強>8 MV/cm數據現場復測驗證。
器件與模組端
航空航天：磷化銦基94 GHz T/R組件MTBF>100 000 h報告現場簽字發布。
石油勘探：碳化硅MOSFET+SiC SBD智能功率模塊耐溫225 ℃，連續運行1000 h無漂移。
寬帶通訊：氮化鎵毫米波功放模組，飽和功率65 dBm，線性增益25 dB，面向D-band回傳。
汽車制造：全碳化硅電驅逆變器功率密度50 kW/L，效率峰值99.2%，已通過AEC-Q101 Grade 0認證。
智能電網：氧化鎵橫向功率器件，擊穿電壓>3 kV，導通電阻<3 mΩ·cm2，現場完成10 kA短路關斷演示。
三、數據與規模
展覽面積：28 000 m2
參展機構：預計>480家（其中材料企業28%、晶圓廠12%、IDM/Fabless 25%、設備與檢測20%、應用系統15%）
專業觀眾：預登記>25 000人，國際觀眾占比11%
技術報告：>120場
四、參會咨詢
聯系人：孫先生 電話：135 218 35891
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